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参数资料
| 型号： | IPS022GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET LS DRIVER DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 130 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS022G
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters
are referenced to SOURCE lead. (TAmbient = 25 o C unless otherwise specified). PCB mounting uses the standard foot-
print with 70 μ m copper thickness.
Symbol Parameter
Min.
Max.
Units
Test Conditions
Vds
Vin
Iin, max
Maximum drain to source voltage
Maximum input voltage
Maximum IN current
—
-0.3
-10
47
7
+10
V
mA
Isd cont.
Diode max. continuous current (1)
( ∑ lsd mosfets, rth=125 o C/W)
Isd pulsed Diode max. pulsed current (1) (for ea. mosfet)
—
—
1.4
10
A
Pd Maximum power dissipation (1)
( ∑ Pd mosfets, rth=125 o C/W)
—
1
W
ESD1
ESD2
Electrostatic discharge voltage (Human Body)
Electrostatic discharge voltage (Machine Model)
—
—
4
0.5
kV
C=100pF, R=1500 ?,
C=200pF, R=0 ?, L=10 μ H
T stor.
Tj max.
Max. storage temperature
Max. junction temperature
-55
-40
150
+150
o
C
Thermal Characteristics
Symbol Parameter
Rth1
Thermal resistance with standard footprint
(2 mos on) (2 mosfets on)
Min.
—
Typ.
100
Max. Units Test Conditions
—
Rth2
Thermal resistance with standard footprint
o
C/W
(1 mos on) (1 mosfet on)
Rth3
Thermal resistance with 1" square footprint
(2 mos on) (2 mosfets on)
—
—
127
60
—
—
(1) Limited by junction temperature (pulsed current limited also by internal wiring)
2
www.irf.com
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PDF描述 |
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