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参数资料
| 型号： | IPS042GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 370 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 530mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet No.PD 60153-J
IPS042G
DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
Features
? Over temperature shutdown
? Over current shutdown
? Active clamp
? Low current & logic level input
? E.S.D protection
Product Summary
R ds(on) 500m ? (max)
V clamp 50V
Description
The IPS042G is a fully protected dual low side SMART
POWER MOSFET that features over-current, over-tem-
perature, ESD protection and drain to source active
clamp.This device combines a HEXFET? POWER
MOSFET and a gate driver. It offers full protection
and high reliability required in harsh environments.
I shutdown
T on /T off
Package
2A
1.5 μ s
The driver allows short switching times and provides
efficient protection by turning OFF the power MOSFET
when the temperature exceeds 165 o C or when the
drain current reaches 2A. This device restarts once
the input is cycled. The avalanche capability is
significantly enhanced by the active clamp and cov-
ers most inductive load demagnetizations.
8-Lead SOIC
Typical Connection
Load
Q
R in series
(if needed)
IN
control
S
D
S
Logic signal
(Refer to lead assignment for correct pin configuration)
www.irf.com
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PDF描述 |
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