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参数资料
| 型号： | IPS042GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 370 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 530mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS042G
3
2
Std. footprint 127 ° C/W
m osfet on
Std. footprint 100 ° C/W
m osfet on
1
2
10
T=25 ° C Std. footprint
T=100 ° C Std footprint
Current path capability should
be above this curve
1
1 mosfet is on
1
below this this
Load characteristic should
be underneath curve curve
0
-50
0
50
100
150
200
0.1
Figure 13 - Max.Cont. Ids (A) Vs
Amb. Temperature ( o C)
Figure 14 - Ids (A) Vs Protection Resp. Time (s)
10
single pulse
100
1000 Hz rth=100 ° C/W dT=25 ° C
10kHz rth=100 ° C/W dT=25 ° C
10
1
0.1
Vbat = 14 V
Tjini = T sd
all curves for 1 mosfet active
1
0 .1
Single pulse
rth 1 mosfet active
rth 2 mosfets active
0 .0 1
0 .1
1
10
100
Figure 15 - Iclamp (A) Vs Inductive Load (mH)
8
Figure 16 - Transient Thermal Imped. ( o C/W)
Vs Time (s)
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS0551T | IC MOSFET PWR SW 40V 100A TO-220 |
| IPS1011RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1021RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1031RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1042GTRPBF | IC IPS SW LOW SIDE 2CH 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS04N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPS04N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS04N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS04N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS04N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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