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参数资料
| 型号： | IPS042GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 370 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 530mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS042G
D
B
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
5
F OOT PRINT
A
.0532
.0688
1.35
1.75
8X 0.72 [.028]
A1 .0040
.0098
0.10
0.25
b
.013
.020
0.33
0.51
6
8
7
6
5
H
c
D
.0075
.189
.0098
.1968
0.19
4.80
0.25
5.00
E
0.25 [.010]
A
E
.1497
.1574
3.80
4.00
1
2
3
4
6.46 [.255]
e
.050 BAS IC
1.27 BAS IC
e1
.025 BAS IC
0.635 BAS IC
H
K
.2284
.0099
.2440
.0196
5.80
0.25
6.20
0.50
6X e
3X 1.27 [.050]
8X 1.78 [.070]
L
y
.016
0 °
.050
8 °
0.40
0 °
1.27
8 °
e1
A
K x 45 °
C
y
8X b
0.25 [.010]
A1
C A B
0.10 [.004]
8X L
7
8X c
NOT ES:
1. DIMENSIONING & TOLE RANCING PE R ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENS ION: MILLIMET ER
3. DIMENSIONS ARE S HOWN IN MILLIME TE RS [INCHE S].
5 DIMENS ION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUSIONS .
MOLD PROT RUS IONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENS ION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUSIONS .
MOLD PROT RUS IONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
4. OUT LINE CONFORMS T O JEDEC OUTLINE MS -012AA.
7 DIMENS ION IS T HE LENGT H OF LEAD FOR SOLDERING T O
A SUBST RATE.
01-6027
8-Lead SOIC
01-0021 11 (MS-012AA)
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105
Data and specifications subject to change without notice. 6/11/2001
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS0551T | IC MOSFET PWR SW 40V 100A TO-220 |
| IPS1011RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1021RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1031RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1042GTRPBF | IC IPS SW LOW SIDE 2CH 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS04N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPS04N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS04N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS04N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS04N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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