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参数资料
| 型号： | IPS022GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET LS DRIVER DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 130 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS022G
5
4
Std. footprint 127°C/W
1 m osfet on
Std. footprint 100°C/W
100
T=25°C Std. footprint
T=100°C Std footprint
2 m osfets on
Current path capability should
3
2
1
10
Load characteristic should
be below this curve
be above this curve
0
1
-50
0
50
100
150
200
Figure 13 - Max.Cont. Ids (A)
Vs Amb. Temperature ( o C)
Figure 14 - Ids (A) Vs Protection Resp. Time (s)
10
single pulse
100 Hz rth=100°C/W dT=25°C
100
1kHz rth=100°C/W dT=25°C
10
1
1
0 .1
Single pulse
rth 1 mosfet active
0.1
Vbat = 14 V
Tjini = T sd for single pulse
all curves for 1 mosfet active
0 .0 1
rth 2 mosfets active
0 .0 1
0 .1
1
10
100
Figure 15 - Iclamp (A) Vs Inductive Load (mH)
8
Figure 16 - Transient Thermal Imped. ( o C/W)
Vs Time (s)
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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