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参数资料
| 型号： | IPS022GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET LS DRIVER DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 130 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS022G
100
delay on
rise tim e
100
delay off
fall tim e
130% rdson
10
10
1
1
0 .1
0 .1
10
100
1000
10000
10
100
1000
10000
Figure 9 - Turn-ON Delay Time, Rise Time & Time to
130% final Rds(on) (us) Vs IN Resistor ( ? )
8
Figure 10 - Turn-OFF Delay Time & Fall Time (us)
Vs IN Resistor ( ? )
6
5
6
4
4
3
2
2
Isd 25°C
1
0
Ilim 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
Figure 11 - Current Iim. & I shutdown (A)
Vs Vin (V)
www.irf.com
Figure 12 - I shutdown (A) Vs Temperature ( o C)
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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