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参数资料
| 型号： | IPS024G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW QUAD 12A 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 4 |
| 导通状态电阻： | 135 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 700mA |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS024G |
IPS024G
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters
are referenced to SOURCE lead. (TAmbient = 25 o C unless otherwise specified). PCB mounting uses the standard foot-
print with 70 μ m copper thickness.
Symbol Parameter
Min.
Max.
Units
Test Conditions
Vds
Vin
Iin, max
Maximum drain to source voltage
Maximum input voltage
Maximum IN current
—
-0.3
-10
47
7
+10
V
mA
Isd cont.
Diode max. continuous current (1)
( ∑ lsd mosfets, rth=125 o C/W)
Isd pulsed Diode max. pulsed current (1) (for ea. mosfet)
—
—
2.3
10
A
Pd Maximum power dissipation (1)
( ∑ Pd mosfets, rth=125 o C/W)
—
1
W
ESD1
ESD2
Electrostatic discharge voltage (Human Body)
Electrostatic discharge voltage (Machine Model)
—
—
4
0.5
kV
C=100pF, R=1500 ?,
C=200pF, R=0 ?, L=10 μ H
T stor.
Tj max.
Max. storage temperature
Max. junction temperature
-55
-40
150
+150
o
C
Thermal Characteristics
Symbol Parameter
Rth1
Thermal resistance with standard footprint
(4 mos on) (4 mosfets on)
Min.
—
Typ.
75
Max. Units Test Conditions
—
Rth2
Thermal resistance with standard footprint
o
C/W
(1mos on) (1 mosfet on)
Rth3
Thermal resistance with 1" square footprint
(4 mos on) (4 mosfets on)
—
—
120
60
—
—
(1) Limited by junction temperature (pulsed current limited also by internal wiring)
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS031S | IC MOSFET PWR SW SGL 12A D2-PAK |
| IPS032G | IC MOSFET PWR SW DUAL 12A 16SOIC |
| IPS041LTR | IC MOSFET PWR SW 2A SOT-223 |
| IPS042GTR | IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC |
| IPS0551T | IC MOSFET PWR SW 40V 100A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS031 | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A TO220-3 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031G | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Power Switch Lo Side 1.4A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
| IPS031GTR | 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS031N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30 V 90 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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