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参数资料
| 型号： | IPS024G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW QUAD 12A 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 4 |
| 导通状态电阻： | 135 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 700mA |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS024G |
IPS024G
Recommended Operating Conditions
These values are given for a quick design. For operation outside these conditions, please consult the application notes.
Symbol Parameter
Vds (max) Continuous drain to source voltage
Min.
—
Max.
35
Units
VIH
VIL
High level input voltage
Low level input voltage
4
0
6
0.5
V
I ds
Continuous drain current
(TAmbient = 85 o C, IN = 5V, rth = 100 o C/W, Tj = 125 o C)
Rin Recommended resistor in series with IN pin
Tr-in (max) Max recommended rise time for IN signal (see fig. 2)
—
0.5
—
0.7
5
1
A
k ?
μ S
Fr-Isc (2)
Max. frequency in short circuit condition (Vcc = 14V)
0
1
kHz
Static Electrical Characteristics
Standard footprint 70 μ m copper thickness. (Tj = 25 o C unless otherwise specified.)
Symbol Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
Rds(on)
Idss 1
Idss 2
ON state resistance Tj = 25 o C
Tj = 150 o C
Drain to source leakage current
Drain to source leakage current
100
—
0
0
135
235
0.01
0.1
160
290
25
50
m ?
μ A
Vin = 5V, Ids = 1A
Vcc = 14V, Tj = 25 o C
Vcc = 40V, Tj = 25 o C
V clamp 1 Drain to source clamp voltage 1
48
54
56
Id = 20mA (see Fig.3 & 4)
V clamp 2 Drain to source clamp voltage 2
V in clamp IN to source clamp voltage
50
7
56
8
60
9.5
V
Id=Ishutdown (see Fig.3 & 4)
Iin = 1 mA
V th
IN threshold voltage
1
1.5
2
Id = 50mA, Vds = 14V
Iin, -on
Iin, -off
ON state IN positive current
OFF state IN positive current
25
50
90
130
200
250
μ A
Vin = 5V
Vin = 5V
over-current triggered
Switching Electrical Characteristics
Vcc = 14V, Resistive Load = 10 ? , Rinput = 50 ?, 100 μ s pulse, T j = 25 o C, (unless otherwise specified).
Symbol Parameter
Min.
Typ. Max. Units Test Conditions
Ton
Tr
Turn-on delay time
Rise time
0.15
0.4
0.5
0.9
1
2
See figure 2
Trf
Toff
Tf
Qin
Time to 130% final Rds(on)
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
2
0.8
0.5
—
6
2
1.3
3.3
12
3.5
2.5
—
μ s
nC
See figure 2
Vin = 5V
(2) Operations at higher switching frequencies is possible. See Appl. notes.
www.irf.com
3
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