参数资料
型号: IPS024G
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET PWR SW QUAD 12A 16SOIC
标准包装: 45
类型: 低端
输入类型: 非反相
输出数: 4
导通状态电阻: 135 毫欧
电流 - 输出 / 通道: 700mA
电流 - 峰值输出: 10A
电源电压: 4 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 管件
其它名称: *IPS024G
IPS024G
Std. footprint 120 C/W 1 mosfet on on
5
4
Std. footpr 75°C/W m ofe t
1 mosfet on
o
Std. footprint 75°C/W 4 m os fe t on
4 mosfets on
100
T=25°C Std. footprint
T=100°C Std footprint
Current path capability should
3
2
1
10
Load characteristic should
be below this curve
be above this curve
0
1
-50
0
50
100
150
200
Figure 13 - Max.Cont. Ids (A)
Vs Amb. Temperature ( o C) - IPS024G
Figure 14 - Ids (A) Vs Protection Resp. Time (s)
10
s ingle puls e
100 Hz r th=100°C/W dT=25°C
100
1k Hz rth=100°C/W dT=25°C
10
1
1
0 .1
Vbat = 14 V
Single pulse
rth 1 mosfet on
0.1
Tjini = T sd for single pulse
all curves for 1 mosfet active
0 .0 1
rth 4 mofets on
0 .0 1
0 .1
1
10
100
Figure 15 - Max. Iclamp (A) Vs Inductive Load (mH)
8
Figure 16 - Transient Thermal Imped. ( o C/W)
Vs Time (s)
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PDF描述
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参数描述
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