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参数资料
| 型号： | IPS032G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW DUAL 12A 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 45 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.65A |
| 电流 - 峰值输出： | 15A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS032G |
IPS031G/IPS032G
31
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters are ref-
erenced to SOURCE lead. (TAmbient = 25 o C unless otherwise specified). PCB mounting uses the standard footprint with 70 μ m
copper thickness. All Sources leads of each mosfet must be connected together to get full current capability
Symbol Parameter
Vds
Maximum drain to source voltage
Min.
—
Max.
47
Units
Test Conditions
Vin
Iin, max
Maximum input voltage
Maximum IN current
-0.3
-10
7
+10
V
mA
Isd cont.
Diode max. continuous current (1)
(rth=125 o C/W) IPS031G
—
1.4
(for all sd mosfets,
rth=85 o C/W)
IPS032G
—
2
A
Isd pulsed Diode max. pulsed current (1) (for ea. mosfet)
Pd Maximum power dissipation (1)
—
15
(rth=125 o C/W) IPS031G
(for all Pd mosfets, rth=85 o C/W) IPS032G
—
—
1
1.5
W
C
ESD1
ESD2
T stor.
Tj max.
Electrostatic discharge voltage (Human Body)
Electrostatic discharge voltage (Machine Model)
Max. storage temperature
Max. junction temperature
—
—
-55
-40
4
0.5
150
150
kV
o
C=100pF, R=1500 ?,
C=200pF, R=0 ?, L=10 μ H
Thermal Chacteristics
Symbol Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
Rth1
Rth2
Thermal resistance
Thermal resistance
with standard footprint
with 1" square footprint
—
—
100
65
—
—
SOIC-8
Rth1
Thermal resistance
with standard footprint
(2 mos on) (2 mosfets on)
Rth2 Thermal resistance
with standard footprint
—
85
—
o
C/W
SOIC-16
(1 mos on) (1 mosfet on)
Rth3
Thermal resistance
(2 mos on) (2 mosfets on)
with 1" square footprint
—
—
100
60
—
—
(1) Limited by junction temperature (pulsed current limited also by internal wiring)
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS041LTR | IC MOSFET PWR SW 2A SOT-223 |
| IPS042GTR | IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC |
| IPS0551T | IC MOSFET PWR SW 40V 100A TO-220 |
| IPS1011RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1021RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS03N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS03N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS03N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS03N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS03N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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