- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录1807 > IPS032G (International Rectifier)IC MOSFET PWR SW DUAL 12A 16SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPS032G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW DUAL 12A 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 45 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.65A |
| 电流 - 峰值输出： | 15A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS032G |
IPS031G/IPS032G
All curves are typical values with standard footprints. Operating in the shaded area is not recommended.
100
90
80
200%
180%
160%
Tj = 150 C
70
60
50
40
30
20
10
0
o
Tj = 25 o C
140%
120%
100%
80%
60%
40%
20%
0%
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
Figure 5 - Rds ON (m ? ) Vs Input Voltage (V)
Figure 6 - Normalised Rds ON (%) Vs Tj ( o C)
10
9
8
7
10
9
8
7
toff delay
fall tim e
6
5
4
3
2
1
0
ton delay
rise tim e
130% final rdson
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Figure 7 - Turn-ON Delay Time, Rise Time &
Time to 130% final Rds(on) (us) Vs Input Voltage
(V)
6
Figure 8 - Turn-OFF Delay Time & Fall Time (us)
Vs Input Voltage (V)
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS041LTR | IC MOSFET PWR SW 2A SOT-223 |
| IPS042GTR | IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC |
| IPS0551T | IC MOSFET PWR SW 40V 100A TO-220 |
| IPS1011RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| IPS1021RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS03N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| IPS03N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS03N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS03N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS03N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。