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参数资料
| 型号： | IR1168SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 17/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL 200V 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 8.6 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR1168S
-3.8
-4.0
-4.2
-4.4
-4.6
-124.0
-125.0
-126.0
-127.0
-128.0
-4.8
-5.0
Ch2
Ch1
-129.0
-130.0
Ch2
Ch1
-5.2
-50 °C
0 °C
50 °C
Temperature
100 °C
150 °C
-131.0
-50 °C
0 °C
50 °C 100 °C
Temperature
150 °C
Figure 9: V TH1 vs. Temperature
-119.0
Figure 10: V TH2 vs. Temperature
810 ns
-120.0
Ch2
Ch1
800 ns
790 ns
-121.0
780 ns
-122.0
770 ns
-123.0
760 ns
-124.0
-125.0
-126.0
750 ns
740 ns
MOT_Ch1
MOT_Ch2
-50 °C
0 °C
50 °C 100 °C
150 °C
730 ns
Temperature
-50 °C
0 °C
50 °C
100 °C
150 °C
Temperature
Figure 11: Comparator Hysteresis vs.
Temperature
www.irf.com
17
Figure 12: MOT vs Temperature
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR1176STR | IC DRIVER RECT SYNC 5V 4A 20SSOP |
| IR2010SPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| IR2011PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP |
| IR20153STRPBF | IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8SOIC |
| IR2086STRPBF | IC DRIVER FULL BRIDGE 16-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR1168SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Smart Rectifier Driver IC |
| IR1168STRPBF | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual Smartrectifier Drvr IC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| IR1169S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:ADVANCED SMARTRECTIFIER CONTROL IC |
| IR1169SPBF | 功能描述:功率驱动器IC ADV SmartRectifier 200V 10.7V 70ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR1169STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC ADV SmartRectifier 200V 10.7V 70ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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