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参数资料
| 型号： | IR1168SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL 200V 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 8.6 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IR1168S
Electrical Characteristics
The electrical characteristics involve the spread of values guaranteed within the specified supply voltage and
junction temperature range TJ from – 25° C to 125°C . Typical values represent the median values, which are
related to 25°C. If not otherwise stated, a supply voltage of V CC = 15 V is assumed for test condition.
Gate Driver Section
Parameters
Gate Low Voltage
Gate High Voltage
Rise Time
Symbol
V GLO
V GTH
t r1
Min.
8.5
Typ.
0.3
10.7
10
Max.
0.5
13.5
Units
V
V
ns
Remarks
I GATE = 200mA
V CC =12V-18V (internally clamped)
C LOAD = 1nF
t r2
Fall Time t f1
t f2
80
5
25
ns
ns
ns
C LOAD = 4.7nF
C LOAD = 1nF
C LOAD = 4.7nF
Turn on Propagation Delay t Don
Turn off Propagation Delay t Doff
Pull up Resistance r up
Pull down Resistance r down
Output Peak Current (source) I O source
Output Peak Current (sink) I O sink
60
70
5
1.2
1
4
120
120
ns
ns
?
?
A
A
V DS to V GATE -100mV overdrive
V DS to V GATE -100mV overdrive
I GATE = 15mA - GBD
I GATE = -200mA
C LOAD = 1nF - GBD
C LOAD = 1nF - GBD
www.irf.com
7
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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