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参数资料
| 型号： | IR2114SS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF-BRIDGE 24-SSOP |
| 标准包装： | 55 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 440ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 11.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SSOP |
| 包装： | 管件 |
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IR2114/IR2214SSPbF
Static Electrical Characteristics
V CC = 15 V, V SS = COM = 0 V, V S = 600 V or 1200 V and T A = 25 °C unless otherwise specified.
Pins: V C C , V SS , V B , V S (refer to Fig. 1)
Symbol
V CCUV+
V CCUV-
Definition
V CC supply undervoltage positive going threshold
V CC supply undervoltage negative going threshold
Min
9.3
8.7
Typ
10.2
9.3
Max Units
11.4
10.3
Test Conditions
V CCUVH
V BSUV+
V BSUV-
V BSUVH
I LK
I QBS
I QCC
V CC supply undervoltage lockout hysteresis
(V B -V S ) supply undervoltage positive going threshold
(V B -V S ) supply undervoltage negative going threshold
(V B -V S ) supply undervoltage lockout hysteresis
Offset supply leakage current
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
—
9.3
8.7
—
—
—
—
0.9
10.2
9.3
0.9
—
400
0.7
—
11.4
10.3
—
50
800
2.5
V
μA
mA
V S = 0 V, V S = 600 V
or 1200 V
V B = V S = 600 V or
1200 V
V IN = 0 V or 3.3 V
no load
Pins: HIN, LIN, FLTCLR, FAULT/SD, SY_FLT (refer to Fig. 2, 3)
Symbol
V IH
V IL
V IHSS
I IN+
I IN-
R ON,FLT
R ON,SY
Definition
Logic "1" input voltage
Logic "0" input voltage
Logic input hysteresis
Logic “1” input bias current (HIN, LIN, FLTCLR)
Logic “0” input bias current (FAULT/SD, SY_FLT)
Logic “0” input bias current
Logic “1” input bias current (FAULT/SD, SY_FLT)
FAULT/SD open drain resistance
SY_FLT open drain resistance
Min
2.0
—
0.2
—
0
-1
-1
—
—
Typ
—
—
0.4
330
—
—
—
60
60
Max
—
0.8
—
—
1
0
0
—
—
Units
V
μA
Test Conditions
V CC = V CCUV-
to 20 V
V IN = 3.3 V
V IN = 0 V
PW ≤ 7 μs
Pins: DSL, DSH (refer to Fig. 4)
V DESAT , I DS and I DSB parameters are referenced to C OM and V S respectively for DSL and DSH.
Symbol
Definition Min Typ Max Units
Test Conditions
V DESAT+
High desat input threshold voltage
7.2 8.0 8.8
V DESAT-
V DSTH
I DS+
I DS -
Low desat input threshold voltage
Desat input voltage hysteresis
High DSH or DSL input bias current
Low DSH or DSL input bias current
6.3 7.0 7.7
— 1.0
—
— 21 —
— -160 —
V
μA
See Figs. 4,16
V DESAT = V CC or V BS
V DESAT = 0 V
www.irf.com
3
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M7OOK-2510R | D-SUB CABLE MFL25K/MC26M/MFL25K |
| 395-056-527-804 | CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK |
| IX6R11S3 | HALF BRIDGE DRIVER 16-SOIC |
| M7SSK-3710J | D-SUB CABLE MFM37K/MC37G/MFM37K |
| 395-056-527-802 | CARD EDGE 56POS DL .100X.200 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2114SSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2114SSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Driver IC |
| IR2114SSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2117 | 功能描述:IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2117PBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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