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参数资料
| 型号： | IR21381QPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 25/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR AC MOTOR 3PHASE 64-MQFP |
| 标准包装： | 660 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 550ns |
| 电流 - 峰： | 350mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 12.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-MQFP，64-PQFP |
| 供应商设备封装： | 64-MQFP（20x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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IR22381Q PBF /IR21381Q ( P b F )
C RES
V GE
I C
R Gon = gate on-resistor
R DRp = driver equivalent on-resistance
IR22381Q/IR21381Q HOP/LOP and HOQ/LOQ
pins can be used to configure gate charge circuit.
t 1 ,Q GE
V CE
90%
t 2 ,Q GC
dV/dt
C RES
I C
C RESon
Fast turn on can be configured using HOP and LOP
pins (up to t ON1 switching time).
For slower turn on times HOQ and LOQ can be
used.
Current partitioning can be changed acting on the
output resistors.
V ge *
10%
10%
V GE
C RESoff
In particular, shorting HOP to HOQ and LOP to
LOQ, R DRp is defined by
? t on 1 ? Vcc
? I
? t
? ?
? 1 ? ? ? ? when t SW > t on 1
t Don
t SW
t R
Figure 24: Nomenclature
t,Q
R DRp
?
= ? SW ? o 1 +
?
? ?
+
Vcc ? t SW
I o 2 + ? t on 1
Vcc
I o 1 +
? ?
? ?
when t SW ≤ t on 1
2.2.1
Sizing the turn-on gate resistor
(I O1+ ,I O2+ and
Characteristics”).
t on1
from
“static
Electrical
Q gc + Q ge
dV out I avg
- Switching-time
For the matters of the calculation included
hereafter, the switching time t sw is defined as the
time spent to reach the end of the plateau voltage
(a total Q gc + Q ge has been provided to the IGBT
gate). To obtain the desired switching time the gate
resistance can be sized starting from Q ge and Q gc ,
Vcc , V ge* (see Figure 25):
I avg =
t sw
and
Table 1 reports the gate resistance size for two
commonly used IGBTs (calculation made using
typical datasheet values and assuming Vcc=15V).
- Output voltage slope
Turn-on gate resistor R Gon can be sized to control
output slope (dV OUT /dt) .
While the output voltage has a non-linear
behaviour, the maximum output slope can be
approximated by:
=
dt C RESoff
R TOT =
Vcc ? V ge *
I avg
inserting the
rearranging:
expression
yielding
I avg
and
Vcc ? V ge
C RESoff ?
Vcc/Vb
I avg
C RES
R TOT =
*
dV out
dt
R DRp
As an example, Table 2 shows the sizing of gate
R Gon
COM/Vs
Figure 25: R Gon sizing
where R TOT = R DRp + R Gon
25
resistance to get dV out /dt=5V/ns when using two
popular IGBTs, typical datasheet values and
assuming Vcc=15V .
NOTICE : Turn on time must be lower than T BL to
avoid improper desaturation detection and SSD
triggering.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR2151S | 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2151SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 100mA 1.2us RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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