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参数资料
| 型号： | IRF1010NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 43A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF1010NS |
IRF1010NS/IRF1010NL
Tape & Reel Information
D 2 Pak
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IR E C TIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )
4 .1 0 (.1 6 1 )
3 .9 0 (.1 5 3 )
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
1 1 .6 0 (.4 5 7 )
0 .3 6 8 (.0 1 4 5 )
0 .3 4 2 (.0 1 3 5 )
1 .6 5 (.0 6 5 )
1 1 .4 0 (.4 4 9 )
1 5 .4 2 (.6 0 9 )
1 5 .2 2 (.6 0 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TR L
1 .7 5 (.0 6 9 )
1 0 .9 0 (.4 2 9 )
1 0 .7 0 (.4 2 1 )
1 .2 5 (.0 4 9 )
1 6 .1 0 (.6 3 4 )
4 .7 2 (.1 3 6 )
4 .5 2 (.1 7 8 )
1 5 .9 0 (.6 2 6 )
F E E D D IR E C T IO N
N O TES :
330.00
(14.173)
M A X.
13 .50 (.53 2 )
12 .80 (.50 4 )
2 7 .40 (1 .07 9 )
2 3 .90 (.9 41 )
4
6 0.0 0 (2 .3 6 2)
M IN .
3 0 .4 0 (1 .1 9 7)
MAX.
1. C O M F O R M S T O E IA -41 8.
2. C O N T R O LL IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
3. D IM E N S IO N M E A S U R E D @ H U B .
4. IN C L U D E S F L A N G E D IS T O R T IO N @ O U T E R E D G E .
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
4
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR ’ s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 02/02
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1010NSPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1010NSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF1010NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1010NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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