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参数资料
| 型号： | IRF2907ZS-7PPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | IRF2907ZS-7PPBF |
| 中文描述： | IRF2907ZS - 7PPBF |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 664K |
| 代理商： | IRF2907ZS-7PPBF |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
EA
ID
TOP 24A
34A
BOTTOM110A
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VG
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF2907ZSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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