参数资料
型号: IRF3205L
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 62A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3247pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRF3205L
IRF3205S/IRF3205L
1000
100
VGS
TOP    15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
VGS
TOP    15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
4.5V
20μs PULSE WIDTH
10
20μs PULSE WIDTH
1
0.1
1
T J = 25 ° C
10
100
1
0.1
1
T J = 175 ° C
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
2.5
I D = 107A
T J = 25 ° C
2.0
T J = 175 ° C
100
1.5
1.0
10
0.5
1
4
6
8
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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