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参数资料
| 型号： | IRF3205L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 146nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3247pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3205L |
IRF3205S/IRF3205L
6000
5000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
16
14
12
I D = 62A
V DS = 44V
V DS = 27V
V DS = 11V
4000
3000
Ciss
10
8
2000
1000
Coss
Crss
6
4
2
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
120
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 175 ° C
100
10
1000
100
10us
100us
1
T J = 25 ° C
10
1ms
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0
2.6
1
1
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
10
10ms
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM31TA501 | TRIMMER 500 OHM 0.125W SMD |
| AT4055JB | CAP INSERT RND CL/WH LB PNL SEAL |
| ECH-U1H123GB5 | CAP FILM 0.012UF 50VDC 1210 |
| SM31TB202 | TRIMMER 2K OHM 0.125W SMD |
| 1301080144 | HANDLAMP 40W 25' W/SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3205LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3205PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3205PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 98A TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 98A, TO-220 |
| IRF3205PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF3205S | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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