参数资料
型号: IRF3205L
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 62A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3247pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRF3205L
IRF3205S/IRF3205L
15V
500
TOP
I D
25A
44A
400
BOTTOM
62A
VDS
L
DRIVER
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
- VDD
A
300
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
100
V (BR)DSS
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
6
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
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