| 型号： | IRF3415STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3515STRR | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| IRF3610SPBF | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
| IRF3704STRR | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| IRF3704ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3704ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3415STRRPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF341R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
| IRF342 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF342R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.3A I(D) | TO-204AA |
| IRF343 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述: |