参数资料
型号: IRF3415STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 43A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF3415S/L
1400
1200
TOP
I D
9.0A
16A
1 5V
1000
BOTTOM
22A
VDS
L
D R IV E R
800
RG
20V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
+
-
VD D
A
600
400
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
200
0
25
50
75
100
125
150
175
V (B R )D SS
Starting T J, Junction Temperature ( o C)
tp
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
- DS
10 V
Q GS
Q G
Q GD
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
Charge
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料
PDF描述
IRF3515STRR MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IRF3610SPBF MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
IRF3704STRR MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRF3704ZCSTRLP MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3704ZSTRLPBF MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF3415STRRPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF341R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA
IRF342 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF342R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.3A I(D) | TO-204AA
IRF343 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述: