参数资料
型号: IRF3415STRR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 43A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF3415S/L
1000
TOP     15V
VGS
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.5V
BOTTOM 4.5V 5.0V
1000
VGS
TOP     15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.5V
4.5V
BOTTOM 5.0V
100
4.5V
100
4.5V
10
1
10
20us PULSE WIDTH
T J = 25 o C
100
10
1
10
20us PULSE WIDTH
T J = 175 o C
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25 ° C
T J = 175 ° C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 37A
T J , Junction Temperature ( C)
10
4
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
5 6 7 8 9
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
10
0.0
-60 -40 -20 0     20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS = 10V
o
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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