参数资料
型号: IRF3515STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 41A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF3515S/L
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 25A
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
10000
12
Ciss
8
1000
Coss
4
Crss
FOR TEST CIRCUIT
100
1
10
100
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80     100
120
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
1
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
100
10
10us
100us
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4         1.8
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料
PDF描述
IRF3610SPBF MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
IRF3704STRR MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRF3704ZCSTRLP MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3704ZSTRLPBF MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3706STRLPBF MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF3515STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 41A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF351R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AA
IRF352 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF352R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA
IRF353 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk