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参数资料
| 型号： | IRF3515STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3515S/L
1 5V
1600
TOP
I D
10A
17A
VDS
L
D R IV E R
1200
BOTTOM
25A
RG
20V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
+
-
VD D
A
800
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (B R )D SS
400
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
°
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Q G
10 V
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q GS
Q GD
V G
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V GS
3mA
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3610SPBF | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
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| IRF3704ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3704ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3706STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3515STRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 41A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
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| IRF352R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA |
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