参数资料
型号: IRF3515STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 41A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF3515S/L
D 2 Pak Package Outline
1.4 0 (.055 )
M AX.
1 0.54 (.415 )
1 0.29 (.405 )
-A-
2
4 .6 9 (.18 5)
4 .2 0 (.16 5)
-B-
1.3 2 (.05 2)
1.2 2 (.04 8)
10 .1 6 (.4 00 )
R E F.
6.47 (.2 55 )
6.18 (.2 43 )
1.7 8 (.07 0)
1.2 7 (.05 0)
1
3
1 5.49 (.6 10)
1 4.73 (.5 80)
2.7 9 (.110 )
2.2 9 (.090 )
5.28 (.2 08 )
4.78 (.1 88 )
2.61 (.1 03 )
2.32 (.0 91 )
3X
1.40 (.0 55)
1.14 (.0 45)
5 .08 (.20 0)
3X
0.9 3 (.0 37 )
0.6 9 (.0 27 )
0.25 (.0 10 )
M
B A M
0.55 (.0 22)
0.46 (.0 18)
1.3 9 (.0 55 )
1.1 4 (.0 45 )
8.8 9 (.3 50 )
R E F.
M IN IM U M R EC O M M E ND E D F O O TP R IN T
1 1.43 (.4 50 )
NO TE S:
1 D IM EN S IO N S A FTER SO LD E R D IP .
2 D IM EN S IO N IN G & TO LE R AN C IN G P ER AN S I Y1 4.5M , 19 82 .
3 C O N TRO L LIN G D IM EN S IO N : IN C H.
4 H E ATSINK & L EA D D IM E N SIO N S DO N O T IN C LU D E B U R RS .
D 2 Pak Part Marking Information
LE AD AS SIG N M E N TS
1 - G ATE
2 - D RA IN
3 - SO U R C E
8 .89 (.35 0)
3.81 (.1 5 0)
2.0 8 (.08 2)
2X
17 .78 (.70 0)
2.5 4 (.100 )
2X
IN TE R N A TIO N A L
A
PART NUM BER
8
R E C T IF IE R
LO G O
A S S E M B LY
LO T C O D E
F530S
9 24 6
9B 1M
DATE CODE
(Y YW W )
YY = Y E A R
W W = W EEK
www.irf.com
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PDF描述
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