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参数资料
| 型号： | IRF3610SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 103A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
IRF3610SPbF
1000
100
T J = 175°C
10000
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μs
10
T J = 25°C
10
1ms
1.0
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
3ms
10ms
DC
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
120
100
80
60
40
20
0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
125
120
115
110
105
100
95
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
ID = 1.0mA
25
50
75
100
125
150
175
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
3.5
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
2000
3.0
TOP
ID
13A
2.5
1600
27A
BOTTOM 62A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1200
800
400
0
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
175
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Typical C OSS Stored Energy
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
4
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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March 26, 2014
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PDF描述 |
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