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参数资料
| 型号： | IRF3610SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 103A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
IRF3610SPbF
4.5
60
IF = 41A
4.0
3.5
3.0
50
40
30
V R = 85V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
2.5
2.0
1.5
I D = 250μA
I D = 1.0mA
ID = 1.0A
20
10
0
-100
-50
0
50
100
150
200
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
T J , Temperature ( °C )
Fig 16. Threshold Voltage vs. Temperature
60
IF = 62A
diF /dt (A/μs)
Fig. 17 - Typical Recovery Current vs. di f /dt
4000
IF = 41A
50
40
V R = 85V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
3500
3000
V R = 85V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
2500
30
2000
20
10
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
diF /dt (A/μs)
Fig. 18 - Typical Recovery Current vs. di f /dt
4000
IF = 62A
1500
1000
500
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
diF /dt (A/μs)
Fig. 19 - Typical Stored Charge vs. di f /dt
3500
3000
V R = 85V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
2500
2000
1500
1000
500
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
diF /dt (A/μs)
Fig. 20 - Typical Stored Charge vs. di f /dt
6
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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March 26, 2014
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