- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录442 > IRF3704ZCSTRLP (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3704ZCSTRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.9 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3704ZCS/LPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.014
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
6.3
7.9
m ?
V GS = 10V, I D = 21A
–––
8.9
11.1
V GS = 4.5V, I D = 17A
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
1.65
–––
–––
2.1
-5.6
–––
2.55
–––
1.0
V
mV/°C
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 16V, V GS = 0V
–––
–––
150
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.7
2.9
1.1
2.3
2.4
3.4
5.6
8.9
38
11
4.2
1220
390
190
100
-100
–––
13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
ns
pF
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 10V, I D = 17A
V DS = 10V
V GS = 4.5V
I D = 17A
See Fig. 16
V DS = 10V, V GS = 0V
V DD = 10V, V GS = 4.5V
I D = 17A
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 10V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
36
17
5.7
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
67
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
260
integral reverse
G
(Body Diode)
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
11
2.3
1.0
17
3.5
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 17A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 17A, V DD = 10V
di/dt = 100A/μs
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3704ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3706STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| IRF3706STRR | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| IRF3707STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| IRF3707STRR | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3704ZCSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF3704ZCSTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3704ZL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN TO-262 - Bulk |
| IRF3704ZLPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms 8.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。