参数资料
型号: IRF3704ZCSTRLP
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 67A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.9 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1220pF @ 10V
功率 - 最大: 57W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF3704ZCS/LPbF
1000
100
VGS
TOP      10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
1000
100
VGS
TOP      10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
10
3.0V
10
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.0
100.0
T J = 25°C
T J = 175°C
2.0
1.5
ID = 42A
VGS = 10V
1.0
VDS = 10V
60μs PULSE WIDTH
10.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
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