参数资料
型号: IRF3704ZCSTRLP
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 67A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.9 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1220pF @ 10V
功率 - 最大: 57W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF3704ZCS/LPbF
70
60
LIMITED BY PACKAGE
2.6
50
40
2.2
1.8
ID = 250μA
30
1.4
20
10
1.0
0
25
50 75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
175
0.6
-75 -50 -25
0 25  50  75 100 125 150 175 200
T J , Temperature ( °C )
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
10
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
1
D = 0.50
0.20
0.10
τ 3
τ C
0.1
0.05
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ
Ri (°C/W) τ i (sec)
0.920 0.000139
0.194 0.000602
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
0.538 0.001567
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig11. MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-to-Case
www.irf.com
5
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