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参数资料
| 型号： | IRF3704ZS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | IRF3704ZS |
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
3.0V
VGS
TOP 10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
3.0V
VGS
TOP 10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10.0
100.0
1000.0
ID
(
)
VDS = 10V
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 42A
VGS = 10V
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