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参数资料
| 型号： | IRF3704ZS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | IRF3704ZS |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
ID
LIMITED BY PACKAGE
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.920 0.000139
0.194 0.000602
0.538 0.001567
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
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