型号: | IRF510A |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | Advanced Power MOSFET |
中文描述: | 5.6 A, 100 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 252K |
代理商: | IRF510A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF520A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为100V,导通电阻为0.2Ω,漏电流为9.2A)) |
IRF540A | Advanced Power MOSFET |
IRF614 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为250V,导通电阻为2.0Ω,漏电流为2.8A)) |
IRF620A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为200V,导通电阻为0.8Ω,漏电流为5A)) |
IRF634S | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为250V,导通电阻为0.45Ω,漏电流为8.1A)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF510A_Q | 功能描述:MOSFET 100V .2 Ohm 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF510L | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF510PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF510PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
IRF510R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |