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参数资料
| 型号： | IRF634S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）) |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET（不适用沟道增强型功率马鞍山场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）） |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | IRF634S |
IRF634S
BV
DSS
= 250 V
R
DS(on)
= 0.45
I
D
= 8.1 A
250
8.1
5.1
32
±
30
205
8.1
7.4
4.8
3.1
74
0.59
- 55 to +150
300
1.69
40
62.5
--
--
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 250V
Lower R
DS(ON)
: 0.327
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
D
2
-PAK
1. Gate 2. Drain 3. Source
1
3
2
1
2
3
I
2
-PAK
*
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
A
=25
°
C)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
I
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/
°
C
A
°
C
*
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF634 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）) |
| IRF640A | L E D,YELLOW,50 DEG VIEW ANGLE |
| IRF644 | 250V N-Channel MOSFET |
| IRF644 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
| IRF644N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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