型号: | IRF634S |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为250V,导通电阻为0.45Ω,漏电流为8.1A)) |
中文描述: | N沟道功率MOSFET(不适用沟道增强型功率马鞍山场效应管(漏源电压为250V,导通电阻为0.45Ω,漏电流为8.1A)) |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 234K |
代理商: | IRF634S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF634 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为250V,导通电阻为0.45Ω,漏电流为8.1A)) |
IRF640A | L E D,YELLOW,50 DEG VIEW ANGLE |
IRF644 | 250V N-Channel MOSFET |
IRF644 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
IRF644N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF634SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF634STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF634STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF634STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF634STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |