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参数资料
型号： IRF510A
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 5.6 A, 100 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装： TO-220, 3 PIN
文件页数： 6/7页
文件大小： 252K
代理商： IRF510A
IRF510A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相关PDF资料
PDF描述
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IRF540A Advanced Power MOSFET
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IRF620A N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为200V，导通电阻为0.8Ω，漏电流为5A）)
IRF634S N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF510A_Q 功能描述:MOSFET 100V .2 Ohm 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF510L 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF510PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF510PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF510R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB
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