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参数资料
| 型号： | IRF520 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| 中文描述： | 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | IRF520 |
IRF520NS/L
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
25
50
75
100
125
150
175
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
T , Case Temperature
(°
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述 |
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