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参数资料
| 型号： | IRF520 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| 中文描述： | 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | IRF520 |
IRF520NS/L
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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PDF描述 |
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