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参数资料
| 型号： | IRF5305L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF5305L |
IRF5305S/L
2500
V GS
=
0V , f = 1 M H z
20
I D = -16 A
2000
C iss
C iss
C rs s
C o ss
=
=
=
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
16
V D S = -4 4V
V D S = -2 8V
1500
1000
500
C oss
C rss
12
8
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 1 3
A
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
1000
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 17 5 °C
1000
100
10
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100μ s
1m s
T J = 2 5°C
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
10m s
V G S = 0 V
10
0.4
0.8 1.2 1.6 2.0
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
A
1
1
S ing le P u lse
10
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
100
A
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530A | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 |
| IRF530NL | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
| IRF540STRR | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5305LHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IRF5305LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5305PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5305S | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF5305SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN D2PAK - Bulk |
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