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参数资料
| 型号： | IRF530 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N沟道增强模式功率MOS晶体管（不适用沟道增强模式功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | IRF530 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
12
20
16
28
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=80 V
I
D
=16 A V
GS
= 10 V
32
9
13
44
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 80 V
R
G
= 4.7
I
D
=16 A
V
GS
= 10 V
11
12
25
15
17
35
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
16
64
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 16 A
V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
=16 A
V
DD
= 30 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
150
0.8
10
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
IRF530/IRF530FI
3/6
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PDF描述 |
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