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参数资料
| 型号： | IRF533 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 12 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | IRF533 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF531 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| IRF532 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| IRF540 | 100V，27A TMOS Power Field Effect Transistor （N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate）(100V，27A TMOS功率场效应管（N沟道增强型硅门）) |
| IRF620-009 | 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF6215-024PBF | 11 A, 150 V, 0.29 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF533FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF533R | 制造商:HARRIS 制造商全称:HARRIS 功能描述:N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF540 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF-540 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF540,127 | 功能描述:MOSFET RAIL IR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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