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参数资料
| 型号： | IRF540 |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | IRF540 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF614STRL | 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| IRF6218PBF | 27 A, 150 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF712R | 1.7 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF720STRL | 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF730ASTRRPBF | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF-540 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF540,127 | 功能描述:MOSFET RAIL IR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF540/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| IRF540_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.055ヘ - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| IRF540_R4941 | 功能描述:MOSFET USE 512-IRF540A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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