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参数资料
| 型号： | IRF6100 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-FlipFet? |
| 供应商设备封装： | 4-FlipFet? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRF6100 IRF6100CT |
IRF6100
0.08
0.16
0.07
0.12
0.06
0.05
0.04
I D = -5.1A
0.08
VGS = -2.5V
VGS = -4.5V
0.03
0.04
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0
10
20
30
40
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
-I D , Drain Current (A)
Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
V G
Q GS
Q GD
V GS
-3mA
D.U.T.
V DS
6
Charge
Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 14b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6100PBF | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF610-613 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
| IRF610A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRF610B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF610B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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