型号: | IRF630M |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
中文描述: | N沟道200伏- 0.35W - 9A条TO-220/TO-220FP MOSFET的网格密胺 |
文件页数: | 3/9页 |
文件大小: | 343K |
代理商: | IRF630M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF630MFP | N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
IRF630S | N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET |
IRF630ST4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
IRF630 | N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
IRF640FP | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF630M_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay⑩ Power MOSFET |
IRF630MFP | 制造商:ST 功能描述:N-CHANNEL 200V 0.35 OHM 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
IRF630N | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
IRF630N_04 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
IRF630N_R4942 | 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |