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参数资料
| 型号： | IRF630NSTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 9.3AI（四）|对263AB |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | IRF630NSTRL |
www.irf.com
4
IRF630N/S/L
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
1200
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
5.4A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
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