型号: | IRF630NSTRL |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五(巴西)直| 9.3AI(四)|对263AB |
文件页数: | 8/11页 |
文件大小: | 155K |
代理商: | IRF630NSTRL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF630N | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF630NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
IRF630NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF630NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF630NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 9.3A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
IRF630NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |