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参数资料
| 型号： | IRF640 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate)(功率场效应管（N沟道增强型硅门）) |
| 中文描述： | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | IRF640 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6609 | Power MOSFET |
| IRF6610TRPBF | 15 A, 20 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF720 | TRI CON SKT 20-22 GLD ST/LO |
| IRF7307 | Power MOSFET |
| IRF730AS | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF640,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF640 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| IRF640/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power Field Effect Transistor |
| IRF640_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 200V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF640A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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