型号: | IRF640A |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | L E D,YELLOW,50 DEG VIEW ANGLE |
中文描述: | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 260K |
代理商: | IRF640A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF644 | 250V N-Channel MOSFET |
IRF644 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
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IRF644NL | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
IRF644NS | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF640B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
IRF640B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF640B_FP001_Q | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF640B_FP01F080 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/200V/18A/0.18OHM/SUBSTITU |