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参数资料
型号： IRF644NSTRLPBF
厂商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类： JFETs
英文描述： 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装： LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
文件页数： 5/12页
文件大小： 313K
代理商： IRF644NSTRLPBF
IRF644N/IRF644NS/IRF644NL
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
IS
Continuous Source Current
MOSFET symbol
(Body Diode)
–––
showing the
ISM
Pulsed Source Current
integral reverse
(Body Diode)
–––
p-n junction diode.
VSD
Diode Forward Voltage
–––
1.3
V
TJ = 25°C, IS = 14A, VGS = 0V
trr
Reverse Recovery Time
–––
165 250
ns
TJ = 25°C, IF = 14A
Qrr
Reverse Recovery Charge
–––
1.0
1.6
C
di/dt = 100A/s
ton
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
Source-Drain Ratings and Characteristics
14
56
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
250
–––
V
VGS = 0V, ID = 250A
V(BR)DSS/TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.33 –––
V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA
RDS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
240
m
VGS = 10V, ID = 8.4A
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
4.0
V
VDS = VGS, ID = 250A
gfs
Forward Transconductance
8.8
–––
S
VDS = 50V, ID = 8.4A
–––
25
A
VDS = 250V, VGS = 0V
–––
250
VDS = 200V, VGS = 0V, TJ = 150°C
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
100
VGS = 20V
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
––– -100
nA
VGS = -20V
Qg
Total Gate Charge
–––
54
ID = 8.4A
Qgs
Gate-to-Source Charge
–––
9.2
nC
VDS = 200V
Qgd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
–––
26
VGS = 10V, See Fig. 6 and 13
td(on)
Turn-On Delay Time
–––
10
–––
VDD = 125V
tr
Rise Time
–––
21
–––
ID = 8.4A
td(off)
Turn-Off Delay Time
–––
30
–––
RG = 6.2
tf
Fall Time
–––
17
–––
VGS = 10V, See Fig. 10
Between lead,
–––
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
Ciss
Input Capacitance
––– 1060 –––
VGS = 0V
Coss
Output Capacitance
–––
140
–––
VDS = 25V
Crss
Reverse Transfer Capacitance
–––
38
–––
pF
= 1.0MHz, See Fig. 5
nH
Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
LD
Internal Drain Inductance
LS
Internal Source Inductance
–––
S
D
G
IGSS
ns
4.5
7.5
IDSS
Drain-to-Source Leakage Current
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC
Junction-to-Case
–––
1.0
RθCS
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
0.50
–––
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient
–––
62
RθJA
Junction-to-Ambient (PCB mount)**
–––
40
Document Number: 90069
www.vishay.com
2
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